| Lugar de origen: | China |
|---|---|
| Nombre de la marca: | TX TELSIG |
| Certificación: | SGS, ISO9001 |
| Número de modelo: | YP3236W |
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
| Precio: | Negotiation |
| Condiciones de pago: | L/C, T/T, Paypal, etc. |
| Gama de frecuencia: | 300-100MHz | Operación: | 3.3V~5.0V |
|---|---|---|---|
| Corriente quieta: | 250mA | Gane (tipo): | 32dB |
| Alta luz: | amplificador de potencia del rf,amplificador de potencia mmic |
||
Amplificador 0.3GHz de TXtelsig YP3236W RF al amplificador de potencia de 1GHz 4W
El YP3236W es un amplificador de potencia de tres fases de la alta ganancia optimizado para los usos en bandas de
300MHz a 1000MHz. El dispositivo se fabrica en una heterounión avanzada de InGaP/GaAs bipolar
Proceso del transistor (HBT). Este amplificador proporciona un aumento típico de 32dB y el poder de P1dB del dBm 36,
la condición diagonal típica es 5.0V en 250 mA. La entrada internamente se hace juego a 50Ω y la salida requiere
mínimo de componentes a juego externos para cubrir el 300MHz entero a 1000MHz. El YP3236W es
montado en un perno 16, 4×4mm2, paquete de QFN. Internamente se integra con la unidad de la protección del ESD.
Características
■gama de frecuencia 300~1000MHz
■Operación 3.3V~5.0V
■aumento 32dB
■36dBm P1dB @VCC=5V
■corriente quieta 250mA
■>20dB entró la pérdida de vuelta
■Detector de potencia de salida integrado
Usos
■De comunicación de datos inalámbrico
■CDMA
■G/M
■RFID
■CMMB
■TETRA
Información el ordenar
■YP3236W 300MHz al amplificador de potencia de 1000MHz 4W
■YP3236W-EVB 400MHz~470MHz, 600MHz~800MHz, 820MHz~850MHz, 860MHz~960MHz
PWB de la evaluación
¡Precaución! Dispositivo sensible del ESD
Grado del ESD: Class1C
Valor: Passes≥1000V mínimo.
Prueba: Modelo del cuerpo humano (HBM)
Estándar: JEDEC JESD22-A114 estándar
Grado del ESD: Clase IV
Valor: Pasos ≥1000V mínimos.
Prueba: Modelo cargado del dispositivo (CDM)
Estándar: JEDEC JESD22-C101 estándar
Grado de MSL: Llano 3 en la convección de +260 °C
flujo
Estándar: JEDEC J-STD-020 estándar
| Parámetro | Grado | Unidad |
| Poder entrado del RF | 15 | dBm |
| Voltaje de fuente | -0,5 a +8,0 | V |
| Voltaje de polarización | -0,5 a +3,0 | V |
| Corriente de la fuente de DC | 2000 | mA |
| Temperatura ambiente de funcionamiento | -40 a +85 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | -40 a +150 | °C |
| Pin Description | ||
| Pin No. | Símbolo | Descripción |
| 1,3,4 | NC | Ninguna conexión interna. Mayo esté conectado para moler |
| 2 | RF ADENTRO | Entrada del RF |
| 5/8 | VR1&2/VR3 | Voltaje actual diagonal del control para la 1st&2ndStaga/3o etapa |
| 6 | VCTR | El voltaje con./desc. del control del poder, aplica >1.5VDC para accionar abajo las tres etapas del amplificador de potencia. Aplique 0VDC para accionar para arriba. Si la función no se desea, pin6 se puede conectar con la tierra. |
| 7 | VCCB | Voltaje de fuente para el circuito del prejuicio |
| 13 | DET | El detector del poder proporciona y voltaje de salida proporcional al nivel VCC3/RF del RF SALIDA. Si la función no se desea, pin13,14 se puede dejar unterminated. |
| 14 | VCCD | Voltaje de fuente para el detector del poder |
| 9, 10, 11, 12 | RF FUERA DE VCC3 | RF output/VCC3 |
| 15/16 | VCC2/VCC1 | Voltaje de fuente del colector para la 2da/1ra etapa |